Výrobca Číslo produktu:
TK20A60W,S5VX
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK20A60W,S5VX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
64 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889209
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK20A60W,S5VX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1680 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK20A60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK20A60W,S5VX(M
TK20A60WS5VX
ASTK20A60W,S5VX(M
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3K56ACT,L3F
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
