TK20N60W,S1VF
Výrobca Číslo produktu:

TK20N60W,S1VF

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TK20N60W,S1VF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247

Inventár:

15 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890178
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TK20N60W,S1VF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1680 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
165W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
TK20N60

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IXTH24N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
268
ČÍSLO DIELU
IXTH24N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.98
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
498
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.88
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTH20N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
241
ČÍSLO DIELU
IXTH20N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.04
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFH18N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFH18N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.90
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPW60R180P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
237
ČÍSLO DIELU
IPW60R180P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J15CT(TPL3)

MOSFET P-CH 30V 100MA CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2989(T6CANO,F,M

MOSFET N-CH TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

TK10V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K59CTB,L3F

MOSFET N-CH 40V 2A CST3B