Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
DR Kongo
Argentína
Turecko
Rumunsko
Litva
Nórsko
Rakúsko
Angola
Slovensko
ltaly
Fínsko
Bielorusko
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Čierna Hora
Ruština
Belgicko
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Moldavsko
Nemecko
Holandsko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
Francúzsko
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Portugalsko
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Španielsko
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TK20N60W,S1VF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK20N60W,S1VF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Inventár:
15 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890178
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK20N60W,S1VF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1680 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
165W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
TK20N60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
TK20N60W
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTH24N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
268
ČÍSLO DIELU
IXTH24N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.98
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
498
ČÍSLO DIELU
SIHG22N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.88
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTH20N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
241
ČÍSLO DIELU
IXTH20N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.04
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXFH18N65X2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXFH18N65X2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.90
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPW60R180P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
237
ČÍSLO DIELU
IPW60R180P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J15CT(TPL3)
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3
2SK2989(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
SSM3K59CTB,L3F
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B