Výrobca Číslo produktu:
TK2Q60D(Q)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK2Q60D(Q)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
Inventár:
190 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891499
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK2Q60D(Q) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Bulk
Seriál
π-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
280 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PW-MOLD2
Balenie / puzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základné číslo produktu
TK2Q60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
200
Iné mená
TK2Q60DQ
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFUC20PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7
ČÍSLO DIELU
IRFUC20PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.60
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK56E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
BSS138TA-79
MOSFET N-CH SOT23
SSM3J352F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
