Výrobca Číslo produktu:
TK33S10N1L,LQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK33S10N1L,LQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventár:
1997 Ks Nové Originálne Na Sklade
12943189
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK33S10N1L,LQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
33A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2250 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK+
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK33S10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK33S10N1L,LXHQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3908
ČÍSLO DIELU
TK33S10N1L,LXHQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.45
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPCC8136.LQ
MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
TK40J20D,S1F(O
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
TPCA8109(TE12L1,V
MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
