Výrobca Číslo produktu:
TK46E08N1,S1X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK46E08N1,S1X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
23 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890796
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK46E08N1,S1X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2500 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
103W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK46E08
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK46E08N1S1X
TK46E08N1,S1X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP100N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
88
ČÍSLO DIELU
STP100N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.11
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPH4R003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
