Výrobca Číslo produktu:
TK4R1A10PL,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK4R1A10PL,S4X-DG
Popis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
48 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920915
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK4R1A10PL,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6320 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
54W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK4R1A10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK4R1A10PL,S4X(S
264-TK4R1A10PLS4X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK7R4A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
SIHU3N50DA-GE3
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
