SIR140DP-T1-RE3
Výrobca Číslo produktu:

SIR140DP-T1-RE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIR140DP-T1-RE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 71.9A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventár:

11305 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920925
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIR140DP-T1-RE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
71.9A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
0.67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8150 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIR140

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIR140DP-T1-RE3TR
SIR140DP-T1-RE3DKR
SIR140DP-RE3
SIR140DP-T1-RE3CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHP25N40D-E3

MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB

vishay-siliconix

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK

vishay-siliconix

SIR668DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON