Výrobca Číslo produktu:
TK560A60Y,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK560A60Y,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Inventár:
12891186
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK560A60Y,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
560mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 240µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
380 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK560A60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK560A60Y,S4X(S
TK560A60YS4X(S
TK560A60YS4X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF10N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2606
ČÍSLO DIELU
STF10N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPN3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
