Výrobca Číslo produktu:
TK72A08N1,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK72A08N1,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 75 V 80A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
20 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890974
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK72A08N1,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Bulk
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
75 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8200 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK72A08
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK72A08N1S4X(S
TK72A08N1,S4X-DG
TK72A08N1S4X
TK80A08K3(Q,M)
TK80A08K3(QM)
TK80A08K3(QM)-DG
TK80A08K3Q-DG
TK80A08K3(Q)
TK80A08K3Q
TK72A08N1S4XINACTIVE
TK72A08N1S4X(S-DG
TK72A08N1S4XS
TK72A08N1,S4X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK4R1A10PL,S4X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
48
ČÍSLO DIELU
TK4R1A10PL,S4X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.77
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPCF8A01(TE85L)
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
TK2A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
SSM3K344R,LF
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
