Výrobca Číslo produktu:
TK9A60D(STA4,Q,M)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK9A60D(STA4,Q,M)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
44 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890912
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK9A60D(STA4,Q,M) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
π-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
830mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK9A60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK9A60DSTA4QM
TK9A60D(STA4QM)
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDPF12N60NZ
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
174
ČÍSLO DIELU
FDPF12N60NZ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.90
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF9NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1359
ČÍSLO DIELU
STF9NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.11
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFIB6N60APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
900
ČÍSLO DIELU
IRFIB6N60APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFIB5N65APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
927
ČÍSLO DIELU
IRFIB5N65APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.83
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6007KNX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6007KNX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK290P65Y,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
SSM3K35MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
