Výrobca Číslo produktu:
TPC8A05-H(TE12L,QM
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPC8A05-H(TE12L,QM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventár:
12891212
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
cEYJ
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPC8A05-H(TE12L,QM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
U-MOSV-H
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1700 pF @ 10 V
Funkcia FET
Schottky Diode (Body)
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP (5.5x6.0)
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Základné číslo produktu
TPC8A05
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI2304BDS-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
65573
ČÍSLO DIELU
SI2304BDS-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
DMN3016LSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
14193
ČÍSLO DIELU
DMN3016LSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPC8048-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
2SK2967(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
TK160F10N1L,LQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
