Výrobca Číslo produktu:
TPN11003NL,LQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPN11003NL,LQ-DG
Popis:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventár:
2619 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891204
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPN11003NL,LQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
660 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta), 19W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPN11003
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TPN11003NLLQCT
TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQDKR
TPN11003NLLQTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RQ3E120GNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11286
ČÍSLO DIELU
RQ3E120GNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS