Výrobca Číslo produktu:
TPN22006NH,LQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPN22006NH,LQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventár:
2900 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890482
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPN22006NH,LQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
22mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
710 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPN22006
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TPN22006NHLQDKR
TPN22006NHLQCT
TPN22006NHLQTR
TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPC8125,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
SSM3K2615R,LF
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
TPCA8102(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
