TPH3212PS

Výrobca Číslo produktu:

TPH3212PS

Product Overview

Výrobca:

Transphorm

Číslo dielu:

TPH3212PS-DG

Popis:

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

Podrobný popis:

N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

Online RFQ

13446813

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

TPH3212PS Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Transphorm

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

650 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

27A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

72mOhm @ 17A, 8V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2.6V @ 400uA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

14 nC @ 8 V

Vgs (max.)

±18V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1130 pF @ 400 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

104W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-220AB

Balenie / puzdro

TO-220-3

Základné číslo produktu

TPH3212

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

transphorm

TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

transphorm

TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

transphorm

TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

transphorm

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB