UF3SC120009K4S
Výrobca Číslo produktu:

UF3SC120009K4S

Product Overview

Výrobca:

Qorvo

Číslo dielu:

UF3SC120009K4S-DG

Popis:

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 120A (Tc) 789W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventár:

1146 Ks Nové Originálne Na Sklade
12930659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

UF3SC120009K4S Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Qorvo
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
12V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11mOhm @ 100A, 12V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6V @ 10mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
234 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8512 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
789W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-4
Balenie / puzdro
TO-247-4
Základné číslo produktu
UF3SC120009

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
30
Iné mená
2312-UF3SC120009K4S

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
unitedsic

UF3C120080K4S

SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4

unitedsic

UF3C120040K4S

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4

onsemi

FDME820NZT

MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET

onsemi

FDMS2D5N08C

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56