2N6661
Výrobca Číslo produktu:

2N6661

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

2N6661-DG

Popis:

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Podrobný popis:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39

Inventár:

Online RFQ
12911858
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

2N6661 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
90 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
860mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-39
Balenie / puzdro
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Základné číslo produktu
2N6661

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
100

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
VN2210N2
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
596
ČÍSLO DIELU
VN2210N2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
12.89
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
2N6661
VÝROBCA
Solid State Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6694
ČÍSLO DIELU
2N6661-DG
CENA ZA JEDNOTKU
4.60
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFZ44SPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

littelfuse

IXFH15N100P

MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD

vishay-siliconix

IRFBF30PBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

vishay-siliconix

SI4401BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO