Výrobca Číslo produktu:
2N6661JTXV02
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
2N6661JTXV02-DG
Popis:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Podrobný popis:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventár:
12885357
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N6661JTXV02 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
90 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
860mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-39
Balenie / puzdro
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Základné číslo produktu
2N6661
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
20
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
IRFL110
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRF624PBF
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB