IRF510STRLPBF
Výrobca Číslo produktu:

IRF510STRLPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF510STRLPBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

330 Ks Nové Originálne Na Sklade
12908862
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRF510STRLPBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
43W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF510

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
800
Iné mená
IRF510STRLPBFDKR
IRF510STRLPBFCT
IRF510STRLPBFTR
IRF510STRLPBF-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRFBC40LCS

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP460BPBF

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

vishay-siliconix

IRF9610S

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRLZ14STRR

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK