Výrobca Číslo produktu:
IRF520STRL
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF520STRL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12908371
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF520STRL Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF520
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIHF520STRL-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHF520STRL-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SIHF520STRR-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHF520STRR-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.33
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR24N10D
MOSFET N-CH 100V DPAK
IRF634NPBF
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
IRF840LCSPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
