Výrobca Číslo produktu:
IRF614S
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF614S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12907719
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF614S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
140 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF614
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF614S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF614SPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1010
ČÍSLO DIELU
IRF614SPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF744PBF
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB
IXFB40N110P
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
2N6660-2
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
