Výrobca Číslo produktu:
IRF644NPBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF644NPBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12882156
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF644NPBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1060 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF644
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF644NPBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK13E25D,S1X(S
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
44
ČÍSLO DIELU
TK13E25D,S1X(S-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.86
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFB4229PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
993
ČÍSLO DIELU
IRFB4229PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP17NF25
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2020
ČÍSLO DIELU
STP17NF25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFI9520N
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220-3
DMN2022UFDF-13
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
DMJ70H600SH3
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
