Výrobca Číslo produktu:
IRF644NS
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF644NS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12908564
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF644NS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
240mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1060 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
IRF644
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF644NS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB18NF25
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1907
ČÍSLO DIELU
STB18NF25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFDC20PBF
MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
IXFK120N25P
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IRF9630SPBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
