IRF9610SPBF

Výrobca Číslo produktu:

IRF9610SPBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRF9610SPBF-DG

Popis:

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

Podrobný popis:

P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventár:

1102 Ks Nové Originálne Na Sklade

12893416

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRF9610SPBF Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

Tube

Seriál

-

Stav produktu

Active

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

200 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

1.8A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

3Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±20V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

170 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3W (Ta), 20W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balík zariadení dodávateľa

TO-263 (D2PAK)

Balenie / puzdro

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Základné číslo produktu

IRF9610

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Iné mená

IRF9610SPBFCT-DG

IRF9610SPBFCT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

vishay-siliconix

IRF510STRR

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF840LCSTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB

diodes

DMP3007SFG-7

MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333

IRC830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5