Výrobca Číslo produktu:
IRF9Z30
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF9Z30-DG
Popis:
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Podrobný popis:
P-Channel 50 V 18A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12864598
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF9Z30 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
74W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF9
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
*IRF9Z30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
78565
ČÍSLO DIELU
IRF9Z34NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
IRF9Z30PBF-BE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8860
ČÍSLO DIELU
IRF9Z30PBF-BE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.04
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
IRF9Z30PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1040
ČÍSLO DIELU
IRF9Z30PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FJ4B01120L1
MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
SK8403180L
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
VN0106N3-G
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
