IRFBC30PBF
Výrobca Číslo produktu:

IRFBC30PBF

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFBC30PBF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventár:

17159 Ks Nové Originálne Na Sklade
12907402
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFBC30PBF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
660 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
74W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRFBC30

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRFBC30PBF

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

IRL620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFZ24

MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

littelfuse

IXFA10N60P-TRL

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK