IRFD010
Výrobca Číslo produktu:

IRFD010

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRFD010-DG

Popis:

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Podrobný popis:
N-Channel 50 V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP

Inventár:

12912859
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IRFD010 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
50 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
200mOhm @ 860mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
250 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
4-HVMDIP
Balenie / puzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základné číslo produktu
IRFD010

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
*IRFD010

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SI7366DP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4430BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

littelfuse

IXTU01N100

MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251

vishay-siliconix

IRF9Z34STRL

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK