Výrobca Číslo produktu:
IRFD123PBF
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRFD123PBF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventár:
6628 Ks Nové Originálne Na Sklade
12905629
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRFD123PBF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.3W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
4-HVMDIP
Balenie / puzdro
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Základné číslo produktu
IRFD123
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
*IRFD123PBF
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFP32N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
IXTA08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
IXTY02N50D-TRL
MOSFET N-CH
