IRL510L

Výrobca Číslo produktu:

IRL510L

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

IRL510L-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3

Podrobný popis:

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventár:

Online RFQ

12905194

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

IRL510L Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Vishay

Balenie

-

Seriál

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

5.6A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

4V, 5V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs(th) (Max.) @ Id

2V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Vgs (max.)

±10V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

250 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

-

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-262-3

Balenie / puzdro

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Základné číslo produktu

IRL510

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Iné mená

*IRL510L

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

littelfuse

IXFT24N90P

MOSFET N-CH 900V 24A TO268

diodes

ZVP2110ASTOB

MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE

littelfuse

IXTY08N100P

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252

diodes

ZXMN10A07FTA

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3