Výrobca Číslo produktu:
SI2301BDS-T1-BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2301BDS-T1-BE3-DG
Popis:
P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
827 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977755
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2301BDS-T1-BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
950mV @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
375 pF @ 6 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SI2301BDS-T1-BE3TR
742-SI2301BDS-T1-BE3CT
742-SI2301BDS-T1-BE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI2301BDS-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
22651
ČÍSLO DIELU
SI2301BDS-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SI2301BDS-T1-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
76154
ČÍSLO DIELU
SI2301BDS-T1-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.09
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ402EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
SIDR220DP-T1-RE3
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
SIHP35N60E-BE3
N-CHANNEL 600V