Výrobca Číslo produktu:
SI2301CDS-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2301CDS-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
61181 Ks Nové Originálne Na Sklade
12912294
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2301CDS-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
405 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SI2301
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI2301CDS-T1-E3DKR
SI2301CDS-T1-E3TR
SI2301CDST1E3
SI2301CDS-T1-E3CT
SI2301CDS-T1-E3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRL620
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
SI3460DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
SI3459DV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
