Výrobca Číslo produktu:
SI2307CDS-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2307CDS-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
40684 Ks Nové Originálne Na Sklade
12917812
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2307CDS-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
88mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
340 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
SI2307
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI2307CDS-T1-E3CT
SI2307CDS-T1-E3DKR
SI2307CDS-T1-E3TR
SI2307CDS-T1-E3-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
VS-FC270SA20
MOSFET N-CH 200V 287A SOT227
SIHF065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220
SIB456DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
