Výrobca Číslo produktu:
SIHP14N50D-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHP14N50D-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12917831
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHP14N50D-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1144 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
208W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
SIHP14
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SIHP14N50DE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP12N50M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
850
ČÍSLO DIELU
STP12N50M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHG14N50D-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
491
ČÍSLO DIELU
SIHG14N50D-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.36
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
STP14NM50N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
892
ČÍSLO DIELU
STP14NM50N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.69
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIB441EDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
SIHF22N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHG22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
