Výrobca Číslo produktu:
SI2347DS-T1-BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI2347DS-T1-BE3-DG
Popis:
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3.8A (Ta), 5A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventár:
4086 Ks Nové Originálne Na Sklade
12977820
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI2347DS-T1-BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta), 5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
42mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
705 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3 (TO-236)
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
742-SI2347DS-T1-BE3CT
742-SI2347DS-T1-BE3TR
742-SI2347DS-T1-BE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SQJ407EP-T1_BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T2_GE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SI3459BDV-T1-BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
