SI3424BDV-T1-GE3
Výrobca Číslo produktu:

SI3424BDV-T1-GE3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SI3424BDV-T1-GE3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 8A (Tc) 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventár:

2445 Ks Nové Originálne Na Sklade
12917797
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SI3424BDV-T1-GE3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
735 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SI3424

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI3424BDV-T1-GE3-DG
SI3424BDV-T1-GE3TR
SI3424BDV-T1-GE3CT
SI3424BDV-T1-GE3DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
RTQ045N03TR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5994
ČÍSLO DIELU
RTQ045N03TR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDC645N
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3709
ČÍSLO DIELU
FDC645N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
NTGS4141NT1G
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13419
ČÍSLO DIELU
NTGS4141NT1G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.12
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDC855N
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10062
ČÍSLO DIELU
FDC855N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
AO6400
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4979
ČÍSLO DIELU
AO6400-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SQM40014EM_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

vishay-siliconix

SI2307CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

vishay-semi-diodes

VS-FC270SA20

MOSFET N-CH 200V 287A SOT227

vishay-siliconix

SIHF065N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO220