Výrobca Číslo produktu:
SI3458DV-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3458DV-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6TSOP
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 3.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12959865
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3458DV-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
SI3458
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI3458DV-T1-E3CT
SI3458DV-T1-E3TR
SI3458DVT1E3
SI3458DV-T1-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AO6420
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
223855
ČÍSLO DIELU
AO6420-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.14
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SI3458BDV-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19138
ČÍSLO DIELU
SI3458BDV-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR220TRRPBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
SI7888DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
