Výrobca Číslo produktu:
SI3993DV-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI3993DV-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventár:
12918485
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI3993DV-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.8A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
133mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
830mW
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balík zariadení dodávateľa
6-TSOP
Základné číslo produktu
SI3993
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI3993DV-T1-E3CT
SI3993DVT1E3
SI3993DV-T1-E3TR
SI3993DV-T1-E3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI3993CDV-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
50318
ČÍSLO DIELU
SI3993CDV-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI3552DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
SQS944ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
BUK7K12-60EX
MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D