Výrobca Číslo produktu:
SI4409DY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4409DY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
Podrobný popis:
P-Channel 150 V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12919275
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4409DY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
150 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
332 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
SI4409
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI4455DY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
32101
ČÍSLO DIELU
SI4455DY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDS6375
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2121
ČÍSLO DIELU
FDS6375-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.32
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUP85N02-03-E3
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
SIR468DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIHFS11N50A-GE3
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
