Výrobca Číslo produktu:
SI4816BDY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4816BDY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12917949
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4816BDY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.8A, 8.2A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10nC @ 5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1W, 1.25W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4816
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4816BDY-T1-E3DKR
SI4816BDYT1E3
SI4816BDY-T1-E3CT
SI4816BDY-T1-E3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRL6372TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13964
ČÍSLO DIELU
IRL6372TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.31
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN3033LSDQ-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2403
ČÍSLO DIELU
DMN3033LSDQ-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4804BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SQJ260EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8
SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
