Výrobca Číslo produktu:
SI4913DY-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI4913DY-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 7.1A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventár:
12913503
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI4913DY-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 P-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.1A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
65nC @ 4.5V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
1.1W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Základné číslo produktu
SI4913
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SI4913DY-T1-E3DKR
SI4913DYT1E3
SI4913DY-T1-E3TR
SI4913DY-T1-E3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SI9933CDY-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26680
ČÍSLO DIELU
SI9933CDY-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF7324TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15441
ČÍSLO DIELU
IRF7324TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.62
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI6954ADQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
SI7964DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8
SI7872DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
