Výrobca Číslo produktu:
SI6473DQ-T1-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI6473DQ-T1-E3-DG
Popis:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventár:
12919530
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI6473DQ-T1-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±8V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.08W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSSOP
Balenie / puzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Základné číslo produktu
SI6473
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4845DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO
SI7455DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
SIHH27N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A PPAK 8 X 8
