Výrobca Číslo produktu:
SI7452DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7452DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12915150
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
NBgV
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7452DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 19.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7452
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD18534Q5A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16709
ČÍSLO DIELU
CSD18534Q5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.36
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
RJK0658DPA-00#J5A
VÝROBCA
Renesas Electronics Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6000
ČÍSLO DIELU
RJK0658DPA-00#J5A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SI7478DP-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4624
ČÍSLO DIELU
SI7478DP-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.12
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SI4626ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
IRFZ48S
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
SI4459BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
