Výrobca Číslo produktu:
SI7456DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SI7456DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventár:
12918599
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SI7456DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SI7456
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SI7456DPT1GE3
SI7456DP-T1-GE3CT
SI7456DP-T1-GE3TR
SI7456DP-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDMS86105
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
23647
ČÍSLO DIELU
FDMS86105-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.73
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
SIHH14N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
SI8489EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
