Výrobca Číslo produktu:
SIA416DJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA416DJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 11.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventár:
2929 Ks Nové Originálne Na Sklade
12915054
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA416DJ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
83mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
295 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6
Základné číslo produktu
SIA416
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIA416DJT1GE3
SIA416DJ-T1-GE3DKR
SIA416DJ-T1-GE3CT
SIA416DJ-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDMA86151L
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11404
ČÍSLO DIELU
FDMA86151L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLR024TRR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRL520
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
SI7113DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
