Výrobca Číslo produktu:
SIA936EDJ-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIA936EDJ-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventár:
12787354
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIA936EDJ-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.5A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
34mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
-
Výkon - Max
7.8W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Základné číslo produktu
SIA936
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIA936EDJ-T1-GE3CT
SIA936EDJ-T1-GE3DKR
SIA936EDJ-T1-GE3TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIA906EDJ-T1-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
119578
ČÍSLO DIELU
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIA912DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
