Výrobca Číslo produktu:
SIB800EDK-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIB800EDK-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 1.5A (Tc) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventár:
12919859
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIB800EDK-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
LITTLE FOOT®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Funkcia FET
Schottky Diode (Isolated)
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SC-75-6
Balenie / puzdro
PowerPAK® SC-75-6
Základné číslo produktu
SIB800
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIB800EDK-T1-GE3TR
SIB800EDK-T1-GE3CT
SIB800EDKT1GE3
SIB800EDK-T1-GE3DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIA810DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SIHFR9120-GE3
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
SIE802DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
