Výrobca Číslo produktu:
SIDR626DP-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIDR626DP-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 42.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventár:
91 Ks Nové Originálne Na Sklade
12786732
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIDR626DP-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
TrenchFET® Gen IV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
42.8A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5130 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PowerPAK® SO-8DC
Balenie / puzdro
PowerPAK® SO-8
Základné číslo produktu
SIDR626
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIDR626DP-T1-GE3TR
SIDR626DP-T1-GE3DKR
SIDR626DP-T1-GE3CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
SIDR626DP-T1-RE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9825
ČÍSLO DIELU
SIDR626DP-T1-RE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SIR472DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
SQJ463EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8