Výrobca Číslo produktu:
SIE874DF-T1-GE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIE874DF-T1-GE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventár:
413 Ks Nové Originálne Na Sklade
12787085
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIE874DF-T1-GE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6200 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
10-PolarPAK® (L)
Balenie / puzdro
10-PolarPAK® (L)
Základné číslo produktu
SIE874
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SIE874DF-T1-GE3DKR
SIE874DF-T1-GE3TR
SIE874DF-T1-GE3CT
SIE874DFT1GE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SUD50N03-16P-E3
MOSFET N-CH 30V TO252
SIHB15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
