SUD50N03-16P-E3
Výrobca Číslo produktu:

SUD50N03-16P-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SUD50N03-16P-E3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V TO252
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 37A (Tc) 6.5W (Ta), 40.8W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

12787092
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SUD50N03-16P-E3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
TrenchFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15A (Ta), 37A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
16mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
SUD50

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMN3009SK3-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
817
ČÍSLO DIELU
DMN3009SK3-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD135N03LGATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
31780
ČÍSLO DIELU
IPD135N03LGATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
DMN3016LK3-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
11562
ČÍSLO DIELU
DMN3016LK3-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD50N03S4L06ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7500
ČÍSLO DIELU
IPD50N03S4L06ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDD8896
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
926093
ČÍSLO DIELU
FDD8896-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.40
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHB15N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK

vishay-siliconix

SUM110P06-08L-E3

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

vishay-siliconix

SIR418DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQD50N04-4M5L_GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA