SIHA21N60EF-E3
Výrobca Číslo produktu:

SIHA21N60EF-E3

Product Overview

Výrobca:

Vishay Siliconix

Číslo dielu:

SIHA21N60EF-E3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventár:

Online RFQ
12787527
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

SIHA21N60EF-E3 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
176mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2030 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Full Pack
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
SIHA21

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
SIHA21N60EF-E3-DG
Technické listy
SIHA21N60EF-E3

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
vishay-siliconix

SIHP21N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIR112DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK

vishay-siliconix

SIHP22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220