Výrobca Číslo produktu:
SIHA22N60AE-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
SIHA22N60AE-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventár:
12966419
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SIHA22N60AE-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
E
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1451 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220 Full Pack
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
SIHA22
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPA60R170CFD7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
255
ČÍSLO DIELU
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.29
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPAW60R180P7SXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
451
ČÍSLO DIELU
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCPF190N60
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
800
ČÍSLO DIELU
FCPF190N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.60
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ZVN3320A
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
PJC7428_R1_00001
SOT-323, MOSFET
SIRA18DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
